Selector de transistores MOS

Búsqueda de fallas en los transistores por el selector de prueba de transistores MOS:

• Parámetros de medida: tensión abierta UGS (th), resistencia interna RDS, transconductancia gm, tensión soportada V (BR) DS
• Rango de prueba: UGS (th) 0.1-9.9V; RDS 0.001-9.999Ω gm; 0.10-10.00 s; V (BR) DS 50-650V
• Rango de corriente de prueba: 0.1A-5A ajustable, cumple con diferentes situaciones de trabajo
• Selección automática, alarma fuera de límite, avance en la eficiencia del trabajo
• La técnica de prueba de RDS bajo la gran corriente es una técnica avanzada